| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅堆叠，其中，所述栅堆叠包括高K栅介质层和含氧的金属栅极；形成在所述栅堆叠两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述衬底之中的源极和漏极。本发明实施例通过替换栅工艺形成的含氧的金属栅极不仅可以减小PMOS管的阈值电压，并且还不受器件栅宽的限制。 | ||
| 申请公布号 | CN102104070A | 申请公布日期 | 2011.06.22 |
| 申请号 | CN200910243804.3 | 申请日期 | 2009.12.21 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 张磊 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅堆叠，其中，所述栅堆叠包括高K栅介质层和含氧的金属栅极；形成在所述栅堆叠两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述衬底之中的源极和漏极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||