发明名称 |
无定形二氧化硅粉末、其制造方法及半导体密封材料 |
摘要 |
提供提高了HTSL特性及HTOL特性的适于半导体密封材料用的无定形二氧化硅粉末、其制造方法。无定形二氧化硅粉末,其特征在于,所述无定形二氧化硅粉末中采用原子吸收分光光度法测得的Al含量以Al2O3换算为0.03~20质量%,无定形二氧化硅粉末的平均粒径为50μm以下,而且,根据平均粒径将该无定形二氧化硅粉末分为两种粉末时,与粒径大于平均粒径的粉末相比,粒径小于平均粒径的粉末的Al2O3换算含有率更大。 |
申请公布号 |
CN101563291B |
申请公布日期 |
2011.06.22 |
申请号 |
CN200780046589.7 |
申请日期 |
2007.12.21 |
申请人 |
电气化学工业株式会社 |
发明人 |
西泰久;梅崎亨 |
分类号 |
C01B33/18(2006.01)I;C01B33/12(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08L101/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种无定形二氧化硅粉末,其特征在于,所述无定形二氧化硅粉末中采用下述原子吸收分光光度法测得的Al含量以Al2O3换算为0.03~20质量%,无定形二氧化硅粉末的平均粒径为8~50μm,而且,根据平均粒径将该无定形二氧化硅粉末分为两种粉末时,与粒径大于平均粒径的粉末相比,粒径小于平均粒径的粉末的Al2O3换算含有率更大,粒径与平均粒径相等的粉末被算入粒径大于平均粒径的粉末中,原子吸收分光光度法:在铂皿中准确称量1g样品,将加入了20ml特级试剂氢氟酸和1ml特级试剂高氯酸的铂皿静置于加热到300℃的砂浴中15分钟,然后冷却到室温,加入纯水配制成25ml溶液,使用原子吸收光度计通过校正曲线法定量该溶液的Al含量。 |
地址 |
日本东京都 |