发明名称 |
网格状薄膜的形成方法 |
摘要 |
本发明涉及了一种网格状薄膜的形成方法。该方法包括:在基板上罩设一格栅,所述格栅的空白区域对应于预先设计的阵列基板的有效区域,所述格栅的格条位于相邻的所述有效区域之间;所述基板为空白基板或沉积有薄膜层的基板;在所述格栅空白区域对应的基板区域上沉积金属或非金属薄膜。本发明使得形成在预先设计的阵列基板的有效区域上的薄膜相互断开,从而减小在薄膜沉积过程中造成的基板变形,有利于提高工艺精度,从而提高阵列基板的产品性能。 |
申请公布号 |
CN101655641B |
申请公布日期 |
2011.06.22 |
申请号 |
CN200810118456.2 |
申请日期 |
2008.08.22 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
郝昭慧 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
一种网格状薄膜的形成方法,其特征在于,包括:在基板上罩设一格栅,所述格栅的空白区域对应于预先设计的阵列基板的有效区域,所述格栅的格条位于相邻的所述有效区域之间;所述格条上设有开孔,所述开孔对应于预先设计的阵列基板的测试区域;所述基板为空白基板或沉积有薄膜层的基板;在所述格栅空白区域对应的基板区域上沉积金属或非金属薄膜;在所述开孔对应的基板区域上沉积所述金属或非金属薄膜。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 |