发明名称 纳米晶NdFeB高致密磁体的制备方法
摘要 纳米晶NdFeB高致密磁体的制备方法,它涉及一种纳米晶NdFeB磁体的制备方法。本发明解决了现有方法制备的粘结磁体存在磁性能低、相对密度小及机械强度低的问题。本发明方法如下:将NdFeB铸态合金破碎制成的粗粉在室温、氢气氛下进行高能球磨10~30h,获得纳米晶歧化态NdFeB合金粉末,再将歧化态NdFeB合金粉末压制成高致密磁体坯料,然后在真空度为10-5~10-2Pa、温度为700~850℃的条件下烧结30分钟~1小时,即得到晶粒尺寸为30~80nm的纳米晶NdFeB高致密磁体。采用本发明方法制备的纳米晶NdFeB高致密磁体的相对密度达到0.92以上,抗压强度达到212~273MPa,磁能积为176~249kJ/m3。
申请公布号 CN101651037B 申请公布日期 2011.06.22
申请号 CN200910072625.8 申请日期 2009.07.31
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 胡连喜;王欣;李玉平;袁媛;房文斌;王尔德
分类号 H01F41/02(2006.01)I;H01F7/02(2006.01)I;B22F9/04(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I 主分类号 H01F41/02(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 韩末洙
主权项 纳米晶NdFeB高致密磁体的制备方法,其特征在于纳米晶NdFeB高致密磁体的制备方法如下:一、采用机械法或氢爆法将NdFeB铸态合金破碎成粒径为0.5~1mm粗粉;二、将粗粉在室温、氢气气氛下进行高能球磨10~30h,实现氢化‑歧化,获得由晶粒尺寸均小于10nm的歧化相NdH2±χ、α‑Fe和Fe2B组成的歧化态NdFeB合金粉末;三、采用常温模压方法,在压制压力为1000~1500MPa的条件下将歧化态NdFeB合金粉末压制成高致密磁体坯料;四、将高致密磁体坯料在真空度为10‑5~10‑2Pa、温度为700~850℃的条件下烧结30分钟~1小时,即得到其主磁相Nd2Fe14B晶粒尺寸为30~80nm的纳米晶NdFeB高致密磁体。
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