场发射阴极装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种场发射阴极装置的制造方法。该场发射阴极装置的制造方法包括以下步骤：提供一个衬底；在衬底上依次形成一层栅极绝缘介质层，一层栅极金属层和一层光刻胶层；微影光刻胶层形成一预定之图案；分别蚀刻栅极金属层和栅极绝缘介质层以形成栅极，栅极绝缘介质间隔体和栅极孔；对光刻胶层加热并加压使其面积增大；利用面积增大的光刻胶层作为掩模，在衬底上蒸镀金属催化剂层；在金属催化剂层上生长出碳纳米管阵列以形成场发射源，该场发射源小于栅极孔。

主权项

一种场发射阴极装置的制造方法，其包括以下步骤：提供一个衬底；在衬底上依次形成一层栅极绝缘介质层，一层栅极金属层和一层光刻胶层；微影光刻胶层形成一预定之图案；分别蚀刻栅极金属层和栅极绝缘介质层以形成栅极，栅极绝缘介质间隔体和栅极孔；对光刻胶层加热并加压使其面积增大；利用面积增大的光刻胶层作为掩模，在衬底上蒸镀金属催化剂层；在金属催化剂层上生长出碳纳米管阵列以形成场发射源，该场发射源小于栅极孔。