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Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe, umfassend eine einzige Doppelseitenpolitur der Halbleiterscheibe, wobei die Halbleiterscheibe während der Doppelseitenpolitur zwischen einem oberen und einem unteren Polierteller in einer Aussparung einer Läuferscheibe liegend unter Zufuhr eines Poliermittels beidseitig poliert wird, bis die Differenz zwischen der Dicke der Halbleiterscheibe im Zentrum der Halbleiterscheibe und der Dicke der Läuferscheibe –2,5 μm bis –3,5 μm beträgt und ein Materialabtrag von insgesamt 10 μm bis 30 μm erzielt worden ist, wobei das Poliermittel 0,1 bis 0,4 Gew.-% SiO2 und 0,1 bis 0,9 Gew.-% einer alkalischen Komponente enthält.
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