存储器元件的堆叠电容器及其制造方法

摘要

本发明提供一种存储器元件的堆叠电容器及其制造方法，其中制造方法包括提供一基底；形成一包括多个第一开口的图形化牺牲层于基底上方；顺应性形成一第一导电层于图形化牺牲层上且填入上述第一开口中；形成一第二导电层于第一导电层上，密封上述第一开口，且于上述第一开口中形成空隙(void)；移除部分第一导电层和第二导电层至暴露图形化牺牲层；及移除至少部分图形化牺牲层，以形成多个下晶胞板(bottom cell plate)。本发明在形成下晶胞板时同样不需要沉积厚的导电膜。因此，本发明可减少例如对位错误等芯片弯曲和应力等相关问题。更进一步，本发明可提供较高的产量和较低的成本。

主权项

一种形成存储器元件的堆叠电容器的方法，包括以下步骤：提供一基底；形成一包括多个第一开口的图形化牺牲层于该基底上方；顺应性形成一第一导电层于该图形化牺牲层上且填入所述多个第一开口中；形成一第二导电层于该第一导电层上，密封所述多个第一开口，且于所述多个第一开口中形成空隙；移除部分该第一导电层和第二导电层至暴露该图形化牺牲层；及移除至少部分该图形化牺牲层，以形成多个下晶胞板。