一种高频晶闸管

摘要

一种高频晶闸管，包括晶闸管，单晶硅片由P+P1N1P2N2型非对称结构构成，N2区的图形为渐开线图形。单晶硅片采用N型（100）晶向低阻单晶硅片，P+层由P层研磨减薄扩散后构成，P+层厚度为15μm，P层厚度为60μm，单晶硅片的台面造型中，正斜角磨角角度θ1大小为：60 ≦θ1≦80 ，负斜角磨角角度θ2大小为：3.5°≦θ2≦4.5°，P+层端面上设有钛镍金蒸镀层，厚度分别为：Ti:0.2μm、Ni:0.5μm、Au:0.1μm，渐开线图形为2~8条，渐开线附近分布的短路点间距D=0.4mm，直径d=0.08mm。本实用新型晶闸管提高了晶闸管的应用频率，提高产品质量、满足节能降耗的需要。

主权项

一种高频晶闸管，包括晶闸管，其特征在于：单晶硅片（1）由P+P1N1P2N2型非对称结构构成，N2区（4）的图形为渐开线图形。