| 主权项 |
一种负载状态侦测结构，包括有：一开路侦测单元；一高阻抗负载单元，系与开路侦测单元电性连接；一保护线路单元，系与开路侦测单元及高阻抗负载单元电性连接；以及一显示单元，系与开路侦测单元电性连接。依申请专利范围第1项所述之负载状态侦测结构，其中，该开路侦测单元系可由运算放大器(Operational Amplifier,OP)、电晶体、或其他具有放大功能之IC所构成。依申请专利范围第1项所述之负载状态侦测结构，其中，该保护线路单元系可为二极体、突波吸收器或、瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressor,TVS)、或由电阻极电容组成之瞬态电压抑制器。依申请专利范围第1项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为萤幕。依申请专利范围第1项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为灯号。依申请专利范围第1项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为喇叭。一种负载状态侦测结构，包括有：一短路侦测单元；一保护线路单元，系与短路侦测单元电性连接；以及一显示单元，系与短路侦测单元电性连接。依申请专利范围第7项所述之负载状态侦测结构，其中，该短路侦测单元系可由OP、电晶体、或其他具有放大功能之IC所构成。依申请专利范围第7项所述之负载状态侦测结构，其中，该保护线路单元系可为二极体、突波吸收器或、TVS、或由电阻极电容组成之瞬态电压抑制器。依申请专利范围第7项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为萤幕。依申请专利范围第7项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为灯号。依申请专利范围第7项所述之负载状态侦测结构，其中，显示单元系可为喇叭。一种负载状态侦测结构，包括有：一开路侦测单元；一高阻抗负载单元，系与开路侦测单元电性连接；一保护线路单元，系与开路侦测单元及高阻抗负载单元电性连接；一短路侦测单元，系与保护线路单元电性连接；以及一显示单元，系与开路侦测单元及短路侦测单元电性连接。依申请专利范围第13项所述之负载状态侦测结构，其中，该开路侦测单元与短路侦测单元系可由OP、电晶体、或其他具有放大功能之IC所构成。依申请专利范围第13项所述之负载状态侦测结构，其中，该保护线路单元系可为二极体、突波吸收器或、TVS、或由电阻极电容组成之瞬态电压抑制器。依申请专利范围第13项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为萤幕。依申请专利范围第13项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为灯号。依申请专利范围第13项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为喇叭。一种负载状态侦测结构，包括有：一开路侦测单元；一高阻抗负载单元，系与开路侦测单元电性连接；一保护线路单元，系与开路侦测单元及高阻抗负载单元电性连接；一短路侦测单元，系与保护线路单元电性连接；一显示单元，系与开路侦测单元及短路侦测单元电性连接；一电压限制单元，系与开路侦测单元电性连接；一压降产生单元，系与保护线路单元电性连接；以及一电压调节单元，系与短路侦测单元及压降产生单元电性连接。依申请专利范围第19项所述之负载状态侦测结构，其中，该开路侦测单元与短路侦测单元系可由OP、电晶体、或其他具有放大功能之IC所构成。依申请专利范围第19项所述之负载状态侦测结构，其中，该保护线路单元系可为二极体、突波吸收器或、TVS、或由电阻极电容组成之瞬态电压抑制器。依申请专利范围第19项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为萤幕。依申请专利范围第19项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为灯号。依申请专利范围第19项所述之负载状态侦测结构，其中，该显示单元系可为喇叭。依申请专利范围第19项所述之负载状态侦测结构，其中，该电压限制单元系由多数二极体所构成。依申请专利范围第19项所述之负载状态侦测结构，其中，该压降产生单元系由多数二极体所构成。依申请专利范围第19项所述之负载状态侦测结构，其中，该电压调节单元系可为电阻。 |
