| 主权项 |
一种半导体封装结构之内连线结构，包含：一基板，具有预先制作之导线于其中；一晶粒，具有接触垫于主动表面，该主动表面系朝下；一黏合材质，形成于该基板之上，而该晶粒黏合于该黏合材质之上，其中该基板包含通孔贯穿该基板以及该黏合材质以裸露该接触垫；导电材质填充于该通孔以作为内连线结构并连接该接触垫以及该导线。如请求项1所述之半导体封装结构之内连线结构，更包含核心黏胶位于该晶粒与该黏合材质上，以及包含导电凸块耦合该导线。如请求项2所述之半导体封装结构之内连线结构，更包含支撑基板位于该核心黏胶之上。如请求项2所述之半导体封装结构之内连线结构，更包含导体层位于该核心黏胶之上。如请求项4所述之半导体封装结构之内连线结构，其中该导体层包含铜箔、溅镀或电镀之铜/镍/金合金。如请求项1所述之半导体封装结构之内连线结构，其中更包含斜顶结构之封膜单元，位于该晶粒、以及该黏合材质之上。如请求项6所述之半导体封装结构之内连线结构，其中更包含斜顶结构之角度约为30-60度。如请求项6所述之半导体封装结构之内连线结构，其中该封膜单元包含液态化合物或封胶化合物。一种形成半导体封装结构之内连线结构之方法，包含：提供一基板具有电路于其中；形成黏合材质于该基板之上；以微对位之置放装置将晶粒配置于该黏合材质之上，以覆晶方式配置；形成核心黏胶于该晶粒背面，与填入该晶粒周遭空隙；形成通孔于该基板以暴露接触垫；以物理气相沉积或化学气相沉积制作金属种子层于该接触垫上；形成光阻于该晶粒之上；以电镀制程制作金属导体于该通孔中，以形成该内连线结构与该接触垫耦合。如请求项9所述之形成半导体封装结构之内连线结构之方法，更包含热处理该黏合材质。如请求项9所述之形成半导体封装结构之内连线结构之方法，更包含在曝露金属垫之后清洁该金属垫。如请求项9所述之形成半导体封装结构之内连线结构之方法，其中该金属种子层包含Ti/Cu,Cu/Au,Cu/Ni/Au或Sn/Ag/Cu。如请求项9所述之形成半导体封装结构之内连线结构之方法，更包含去除光阻以及回蚀刻该金属层。 |
