| 主权项 |
一种发光元件，包括：一基底；及位于所述基底上之两红光发光晶片、两绿光发光晶片及一蓝光发光晶片，所述发光晶片依次以红光、绿光、蓝光、绿光、红光顺序排列于所述基底上，所述发光晶片与所述基底电性连接，且红光、绿光、蓝光发光晶片分别包含红光、绿光、蓝光量子点，所述红光、绿光、蓝光发光晶片均包括一P型半导体层、一N型半导体层及一位于所述P型半导体层与N型半导体层之间的主动层，所述红光、绿光、蓝光量子点分别位于红光、绿光、蓝光发光晶片的主动层中。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中，所述之红光发光晶片包括一形成于所述基底上之第一半导体层、一形成于所述第一半导体层上之P型砷化镓层、一形成于所述P型砷化镓层上之磷砷化镓层及一形成于所述磷砷化镓层上之N型砷化镓层，所述红光量子点位于磷砷化镓层内。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中，所述之绿光发光晶片包括一形成于所述基底上之第二半导体层、一形成于所述第二半导体层上之P型磷化铝镓铟层、一形成于所述P型磷化铝镓铟层上之不掺杂之磷化铝镓铟层及一形成于所述不掺杂之磷化铝镓铟层上之N型磷化铝镓铟层，所述绿光量子点位于不掺杂之磷化铝镓铟层内。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中，所述之蓝光发光晶片包括一位于所述基底上之第三半导体层、一形成于所述第三半导体层上之氮化镓结晶层、一形成于所述氮化镓结晶层上之P型氮化镓层、一形成于所述P型氮化镓层上之氮化铟镓层及一形成于所述氮化铟镓层上之N型氮化镓层，所述蓝光量子点位于氮化铟镓层内。一种平面光源，包括：一平板；及位于所述平板上呈矩阵排列之复数发光元件，每一发光元件包括：一位于所述平板上之基底及位于所述基底上之两红光发光晶片、两绿光发光晶片及一蓝光发光晶片，所述发光晶片依次以红光、绿光、蓝光、绿光、红光顺序排列于所述基底上，所述发光晶片与所述基底电性连接，且红光、绿光、蓝光发光晶片分别包含红光、绿光、蓝光量子点，所述红光、绿光、蓝光发光晶片均包括一P型半导体层、一N型半导体层及一位于所述P型半导体层与N型半导体层之间的主动层，所述红光、绿光、蓝光量子点分别位于红光、绿光、蓝光发光晶片的主动层中。如申请专利范围第5项所述之平面光源，其中，所述之红光发光晶片包括一形成于所述基底上之第一半导体层、一形成于所述第一半导体层上之P型砷化镓层、一形成于所述P型砷化镓层上之磷砷化镓层及一形成于所述磷砷化镓层上之N型砷化镓层，所述红光量子点位于磷砷化镓层内。如申请专利范围第5项所述之平面光源，其中，所述之绿光发光晶片包括一形成于所述基底上之第二半导体层、一形成于所述第二半导体层上之P型磷化铝镓铟层、一形成于所述P型磷化铝镓铟层上之不掺杂之磷化铝镓铟层及一形成于所述不掺杂之磷化铝镓铟层上之N型磷化铝镓铟层，所述绿光量子点位于不掺杂之磷化铝镓铟层内。如申请专利范围第5项所述之平面光源，其中，所述之蓝光发光晶片包括一位于所述基底上之第三半导体层、一形成于所述第三半导体层上之氮化镓结晶层、一形成于所述氮化镓结晶层上之P型氮化镓层、一形成于所述P型氮化镓层上之氮化铟镓层及一形成于所述氮化铟镓层上之N型氮化镓层，所述蓝光量子点位于氮化铟镓层内。一种直下式背光模组，包括：一平面光源，该平面光源包括：一平板及位于所述平板上呈矩阵排列之复数发光元件，每一发光元件包括：一位于所述平板上之基底及位于所述基底上之两红光发光晶片、两绿光发光晶片及一蓝光发光晶片，所述发光晶片依次以红光、绿光、蓝光、绿光、红光顺序排列于所述基底上，所述发光晶片与所述基底电性连接，且红光、绿光、蓝光发光晶片分别包含红光、绿光、蓝光量子点，所述红光、绿光、蓝光发光晶片均包括一P型半导体层、一N型半导体层及一位于所述P型半导体层与N型半导体层之间的主动层，所述红光、绿光、蓝光量子点分别位于红光、绿光、蓝光发光晶片的主动层中；及一与复数发光元件相对之扩散板。如申请专利范围第9项所述之直下式背光模组，其中，所述之红光发光晶片包括一形成于所述基底上之第一半导体层、一形成于所述第一半导体层上之P型砷化镓层、一形成于所述P型砷化镓层上之磷砷化镓层及一形成于所述磷砷化镓层上之N型砷化镓层，所述红光量子点位于磷砷化镓层内。如申请专利范围第9项所述之直下式背光模组，其中，所述之绿光发光晶片包括一形成于所述基底上之第二半导体层、一形成于所述第二半导体层上之P型磷化铝镓铟层、一形成于所述P型磷化铝镓铟层上之不掺杂之磷化铝镓铟层及一形成于所述不掺杂之磷化铝镓铟层上之N型磷化铝镓铟层，所述绿光量子点位于不掺杂之磷化铝镓铟层内。如申请专利范围第9项所述之直下式背光模组，其中，所述之蓝光发光晶片包括一位于所述基底上之第三半导体层、一形成于所述第三半导体层上之氮化镓结晶层、一形成于所述氮化镓结晶层上之P型氮化镓层、一形成于所述P型氮化镓层上之氮化铟镓层及一形成于所述氮化铟镓层上之N型氮化镓层，所述蓝光量子点位于氮化铟镓层内。 |
