| 主权项 |
一种发光元件，其包括：一基底；一发光结构，包含一主动层系介于一P型氮化镓层与一N型氮化镓层之间，当分别来自该N型氮化镓层及该P型氮化镓层的电子及电洞于该主动层结合时，该主动层会发出一预定波长之光；一过渡层，包含P型氮化镓，该过渡层包含实质上为平行的一顶面与一底面，该顶面与该底面系曝露出一氮晶格面；及一光散射表面，包含一氮化镓结晶层其特征系具有一氮晶格面(N-face)表面，该氮晶格面表面具有特征结构系可散射该预定波长之光，其中该过渡层系介于该氮晶格面表面与该基底之间。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中该氮晶格面表面的前述特征结构大小系大于该散射层中该预定波长。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中在该发光结构中的该N型氮化镓层系介于该发光结构中的该P型氮化镓层与该基底之间。如申请专利范围第1项所述之发光元件，其中该光散射表面包含一第一氮化镓层系掺杂有浓度1020原子/每立方公分或更高之镁原子。如申请专利范围第4项所述之发光元件，其中该光散射表面包含一第二氮化镓层邻接该第一氮化镓层，该第二氮化镓层掺杂有浓度小于1020原子/每立方公分的镁原子。如申请专利范围第5项所述之发光元件，其中该氮晶格面表面包含该第二氮化镓层之一表面。如申请专利范围第3项所述之发光元件，其中该光散射表面包含N型氮化镓。如申请专利范围第3项所述之发光元件，其中该光散射表面包含P型氮化镓。一种发光元件之制造方法，其包括：制造一发光结构于一基板上，该发光结构包含一主动层介于一P型氮化镓层与一N型氮化镓层之间，当分别来自该N型氮化镓层及该P型氮化镓层的电子及电洞于该主动层结合时，该主动层会发出一预定波长之光，该发光结构曝露出位于其一被曝露表面上的该P型氮化镓层的一镓晶格面(Ga-face)；沈积一P型氮化镓过渡结构于该被曝露表面上，该过渡结构具有一被曝露的氮晶格面(N-surface)于其一被曝露表面上；及蚀刻该过渡结构的该被曝露的氮晶格面，以形成特征结构系可散射该预定波长之光。如申请专利范围第9项所述之发光元件之制造方法，其中该过渡结构之该被曝露的氮晶格面系以氢氧化钠(NaOH)蚀刻。如申请专利范围第9项所述之发光元件之制造方法，其中该过渡结构包含一氮化镓层系掺杂浓度大于或相等于1020原子/每立方公分的镁原子。如申请专利范围第9项所述之发光元件之制造方法，其中该过渡结构包含一氮化镓层，系掺杂浓度小于1020原子/每立方公分的镁原子。 |
