| 主权项 |
一种携带式电子装置外壳，其包括：一基体；一屏蔽层，所述屏蔽层系于基体接-50~200V之射频偏压或-50~200V之交流偏压，镀膜温度为室温至150℃之间，镀膜室压力为1×10-5~10×10-5帕斯卡(Pa)之条件下，采用射频能量源激发氩气电浆以30~100标准毫升/分之质量流量冲击靶材，使靶材表面之材质喷溅出来，沉积至基体之至少一部份表面而形成；一绝缘层，该绝缘层设于屏蔽层之表面。如申请专利范围第1项所述之携带式电子装置外壳，其中所述基体系由塑胶材料制成。如申请专利范围第1项所述之携带式电子装置外壳，其中所述屏蔽层系由金属材料制成。如申请专利范围第3项所述之携带式电子装置外壳，其中所述金属材料包括铝、铬、银、镍等金属中之一种或上述一种以上金属之合金。如申请专利范围第1项所述之携带式电子装置外壳，其中所述屏蔽层之厚度范围为0.1微米至5微米。如申请专利范围第1项所述之携带式电子装置外壳，其中所述绝缘层系由绝缘体材料制成。如申请专利范围第6项所述之携带式电子装置外壳，其中所述绝缘体材料包括类金刚石、氮化钛、氮化铬等材料中之一种或一种以上之组合。如申请专利范围第1项所述之携带式电子装置外壳，其中所述绝缘层之厚度范围为0.1微米至5微米。一种携带式电子装置外壳之制造方法，该方法包括以下步骤：形成一基体；将所述基体接-50~200V之射频偏压或-50~200V之交流偏压，镀膜温度控制于室温至150℃之间，镀膜室压力控制为1×10-5~10×10-5帕斯卡(Pa)，并采用射频能量源激发氩气电浆以30~100标准毫升/分之质量流量冲击靶材，使靶材表面之材质喷溅出来，沉积至该基体表面之预定位置以形成一屏蔽层，并使该屏蔽层附着于基体表面；于该屏蔽层表面形成一绝缘层，并使该绝缘层附着于屏蔽层表面。如申请专利范围第9项所述之携带式电子装置外壳之制造方法，其中所述基体系由塑胶材料制成。如申请专利范围第10项所述之携带式电子装置外壳之制造方法，其中所述基体系通过射出成型之方法制成。如申请专利范围第11项所述之携带式电子装置外壳之制造方法，其中所述基体制成后进行表面处理，该表面处理之方法包括电镀、氧化、涂装或真空镀膜中之一种或一种以上之组合。如申请专利范围第9项所述之携带式电子装置外壳之制造方法，其中所述屏蔽层系由金属材料制成。如申请专利范围第13项所述之携带式电子装置外壳之制造方法，其中所述金属材料包括铝、铬、银、镍等金属中之一种或上述一种以上金属之合金。如申请专利范围第14项所述之携带式电子装置外壳之制造方法，其中所述屏蔽层系通过溅镀之方法形成于所述基体表面。如申请专利范围第9项所述之携带式电子装置外壳之制造方法，其中所述绝缘层系由绝缘体材料制成。如申请专利范围第16项所述之携带式电子装置外壳之制造方法，其中所述绝缘体材料包括类金刚石、氮化钛、氮化铬等材料中之一种或一种以上之组合。 |
