频率合成器

主权项

一种频率合成器，包含：一谐波锁相以及锁频侦测器，用于接收一参考讯号以及一分割讯号；一低通滤波器，耦接于该谐波锁相以及锁频侦测器；一压控振荡器，耦接于该低通滤波器并提供一输出讯号；以及一分频器，耦接于该压控振荡器以及该谐波锁相以及锁频侦测器之间，用于将该输出讯号分频；其中，该分割讯号的频率为该参考讯号的一谐波频率；其中，该压控振荡器包含：一对金氧半电晶体，其中，该对金氧半电晶体中的每一个金氧半电晶体具有耦接于地的一源极，以及交叉耦接于该对金氧半电晶体中另一金氧半电晶体之一汲极的一闸极；以及一分布式电感电容槽，耦接于该对金氧半电晶体的该对汲极之间，该分布式电感电容槽包含：一对分布式电感，耦接于一供应电压以及该对金氧半电晶体的该对汲极之间；以及一对分布式电容，耦接于该对分布式电感以及地之间。如申请专利范围第1项所述之频率合成器，其中，该谐波锁相以及锁频侦测器包含：一D触发器，于一资料输入端接收该参考讯号，并于一时脉输入端接收该分割讯号；一互斥或闸，接收该参考讯号以及该D触发器之一反向输出讯号；一提升电流源；以及一下拉电流源；其中，该提升电流源由该互斥或闸之一输出讯号控制，以及该下拉电流源由该分割讯号控制。如申请专利范围第1项所述之频率合成器，更包含一预除器，耦接于该分频器以及该谐波锁相以及锁频侦测器之间。一种频率合成器，包含：一谐波锁相以及锁频侦测器，用于接收一参考讯号以及一分割讯号；一低通滤波器，耦接于该谐波锁相以及锁频侦测器；一压控振荡器，耦接于该低通滤波器，并提供一输出讯号；以及一分频器，耦接于该压控振荡器以及该谐波锁相以及锁频侦测器之间，用于将该输出讯号分频；其中，该压控振荡器包含：一对金氧半电晶体，其中，该对金氧半电晶体中的每一个金氧半电晶体具有耦接于地的一源极，以及交叉耦接于该对金氧半电晶体中另一金氧半电晶体之一汲极的一闸极；以及一分布式电感电容槽，耦接于该对金氧半电晶体的该对汲极之间，该分布式电感电容槽包含：一对分布式电感，耦接于一供应电压以及该对金氧半电晶体的该对汲极之间；以及一对分布式电容，耦接于该对分布式电感以及地之间。如申请专利范围第4项所述之频率合成器，其中，该对分布式电感中的每一个被平均地分为两个串联连接的子电感，以及该对分布式电容中的每一个被平均地分为两个子电容，该两个子电容连接于一对应的子电感以及地之间，其中，该两个子电感之间的一节点提供该频率合成器之一输出讯号。如申请专利范围第5项所述之频率合成器，其中，该压控振荡器更包含复数电阻，该等电阻中的每一个跨接于该两个子电感。如申请专利范围第5项所述之频率合成器，其中，该压控振荡器更包含：一对可变电容，该对可变电容中的每一个包含：一闸极，一源极以及一汲极，其中该闸极耦接于该两个子电感之间的一对应的节点，以及该源极及该汲极相连，接收一控制电压，该控制电压可控制该压控振荡器。一种频率合成器，包含：一谐波锁相以及锁频侦测器，接收一参考讯号以及一分割讯号；一低通滤波器，耦接于该谐波锁相以及锁频侦测器；一压控振荡器，耦接于该低通滤波器，并提供一输出讯号；以及一分频器，耦接于该压控振荡器以及该谐波锁相以及锁频侦测器之间，用于将该输出讯号分频；其中该分频器包含：一主锁存器；以及一从锁存器，包含复数资料输入端，该等资料输入端的每一个耦接于该主锁存器之一对应的资料输出端，以及复数资料输出端，交叉耦接于该主锁存器之复数对应的资料输入端；其中，该主锁存器以及该从锁存器各包含：一对互补金氧半导体反相器，该对互补金氧半导体反相器中之一个包含一电容，该电容耦接于一提升电晶体之闸极以及一下拉电晶体之闸极之间，该对互补金氧半导体反相器中之另一个包含另一电容，该另一电容耦接于另一提升电晶体之闸极以及另一下拉电晶体之闸极之间；一第一对N通道金氧半导体电晶体，该第一对N通道金氧半导体电晶体中之一个包含：一源极，耦接于该下拉电晶体之汲极，一闸极，接收该输出讯号，以及一汲极，经由串联连接的一电阻以及一电感耦接于一供应电压，该第一对N通道金氧半导体电晶体中之另一个包含：另一源极，耦接于该另一下拉电晶体之汲极，另一闸极，接收该输出讯号，以及另一汲极，经由串联连接的另一电阻以及另一电感耦接于一供应电压；一第二对N通道金氧半导体电晶体，包含：一对源极，耦接于该另一下拉电晶体之汲极，一对闸极交叉耦接于该第一对N通道金氧半导体电晶体之该对应的汲极，以及，一对汲极，耦接于该等电阻以及该等电感之间的节点；其中，该压控振荡器包含：一对金氧半电晶体，其中，该对金氧半电晶体中的每一个金氧半电晶体具有耦接于地的一源极，以及交叉耦接于该对金氧半电晶体中另一金氧半电晶体之一汲极的一闸极；以及一分布式电感电容槽，耦接于该对金氧半电晶体的该对汲极之间，该分布式电感电容槽包含：一对分布式电感，耦接于一供应电压以及该对金氧半电晶体的该对汲极之间；以及一对分布式电容，耦接于该对分布式电感以及地之间。如申请专利范围第8项所述之频率合成器，其中，该对互补金氧半导体反相器之提升电晶体为P通道金氧半导体电晶体。