发明名称 具有特定色温的发出白光之发光二极体
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.06.21
申请号 TW093128947 申请日期 2004.09.24
申请人 欧斯朗股份有限公司;欧斯朗奥托半导体股份有限公司 发明人 荷伯特布鲁纳;提姆菲德勒;法兰克杰曼;乔格史斯;马丁撒邱
分类号 H01L33/00;H05B33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;王彦评 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种具有特定色温的发出白光之发光二极体,系设计成一种发光转换型发光二极体,其包括:一初级辐射源,系为可发射波长落在蓝光谱范围内之光的晶片;一磷光体层,系落在该初级辐射源前方且系由两种磷光体构成的,这两种磷光体皆可部分地转换该晶片的辐射,其特征在于第一种磷光体系一种选自具有阳离子M且实验式为M(1-c)Si2O2N2:Dc的氧氮矽酸盐类,式中M包含Sr当作主成分,且D系经二价铕所掺杂,M=Sr或M=Sr(1-x-y)BayCax(其中0≦x+y<0.5),其中该氧氮矽酸盐类系完全或主要地包括高温安定性改质HT,且第二种磷光体系式(Ca,Sr)2Si5N8:Eu的氮矽酸盐,产生2300至7000K的色温,同时达成至少Ra=80的色彩赋予。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中在该氧氮矽酸盐中铕的分率系构成M的0.1至20莫耳%。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中M的比率,尤其最高30莫耳%,系被Ba及/或Ca及/或Zn所替换。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中M的比率,尤其最高30莫耳%,系被Li及/或La及/或Na及/或Y所替换。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中SiN的比率,尤其最高30莫耳%,系被AlO所替换。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中Eu的比率,尤其最高30莫耳%,系被Mn所替换。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中晶片系InGaN型晶片。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中发光二极体系可调光的。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中发光二极体具有2700至3300K的色温。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中发光二极体系以初级放射之峰值波长落在430至470奈米范围内的蓝光LED藉由红绿蓝(RGB)混色原理达成白色的发光色彩。如申请专利范围第10项之发光二极体,其中来自晶片之放射系具有峰值波长在450至465奈米范围内。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中氧氮矽酸盐之放射系具有主要波长λdom在550至570奈米范围内。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中氮矽酸盐含有当作永久成分的Sr以及比率0至60莫耳%的Ca。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中氮矽酸盐之放射系具有主要波长λdom在620至660奈米范围内。如申请专利范围第1项之发光二极体,其中达成至少85的Ra值。一种照明系统,具有如申请专利范围第1项之发光二极体,其特征在于该照明系统包含用来驱动单独或整组的发光二极体的电子组件。如申请专利范围第16项之照明系统,其中该控制用电子元件包含可赋予调光性的装置。
地址 德国