高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法

摘要

本发明提供一种高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法，该方法包括提供一半导体基板；形成一栅极结构于该半导体基板之上，该栅极结构包括一虚置介电层及一虚置栅极设置于该虚置介电层之上；自该栅极结构移除该虚置栅极和虚置介电层，由此形成一沟槽；形成一界面层于该半导体基板上；形成一高介电常数介电层于该界面层之上，部分地填入该沟槽；形成一阻挡层于该高介电常数介电层之上，部分地填入该沟槽；形成一顶盖层于该阻挡层之上，部分地填入该沟槽；实施一退火工艺；移除该顶盖层；形成一金属层于该阻挡层之上，且填入该沟槽的剩余部分；以及实施一化学机械研磨法以移除该沟槽外部的各层。本发明可改善最终元件中的high-k介电层的品质。

主权项

一种高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法，包括：提供一半导体基板；形成一栅极结构于该半导体基板之上，该栅极结构包括一虚置介电层及一虚置栅极设置于该虚置介电层之上；自该栅极结构移除该虚置栅极和虚置介电层，由此形成一沟槽；形成一界面层于该半导体基板上；形成一高介电常数介电层于该界面层之上，部分地填入该沟槽；形成一阻挡层于该高介电常数介电层之上，部分地填入该沟槽；形成一顶盖层于该阻挡层之上，部分地填入该沟槽；实施一退火工艺；移除该顶盖层；形成一金属层于该阻挡层之上，且填入该沟槽的剩余部分；以及实施一化学机械研磨法以移除该沟槽外部的各层。