| 主权项 |
在一底材上包含有一薄层半导体材料之一构造之制作方法，其包含：a)在一施体底材的厚度内产生一脆化区域；b)将施体底材键结至一支撑底材；c)在近接于脆化区域的层级之处分离施体底材，以形成包含有在支撑底材上之施体底材之一薄层之一半导体构造；d)利用执行至少一次快速热回火操作而稳定施体底材之薄层与支撑底材之间所界定半导体构造之键结界面；与e)利用在低于1000℃的温度下执行的一次热处理操作而薄化该薄层。如申请专利范围第1项之方法，其更包含将(i)施体底材之一曝露面与(ii)支撑底材之一曝露面，两者中之至少其一，于键结步骤之前曝露于电浆之下以达成施体底材对支撑底材的键结。如申请专利范围第2项之方法，其中其对电浆之曝露时间系在约5秒至约60秒之间。如申请专利范围第3项之方法，其中其对电浆之曝露时间系约30秒。如申请专利范围第2项之方法，其中电浆包含由氧，氮，氦，氩，以及前述气体之混合气体所组成之群组中所选定之至少一种气态组成。如申请专利范围第5项之方法，其中该至少一种气态组成系以约50 sccm至约500 sccm之间的流率引入容纳有该矽构造的一反应腔内。如申请专利范围第6项之方法，其中该至少一种气态组成被引入反应腔内以在腔内建立约10 mTorr至约200 mTorr之间的平均气体压力。如申请专利范围第6项之方法，其中该至少一种气态组成被引入反应腔内以在腔内建立约50 mTorr的平均气体压力。如申请专利范围第2项之方法，其中电浆系之施加以对所要处理之表面以每单位表面积施加约150 mW/cm2至约2800 mW/cm2之间的射频功率而启始并维持。如申请专利范围第9项之方法，其中电浆之施加系以对所要处理之表面以每单位表面积施加约750 mW/cm2的射频功率而启始并维持。如申请专利范围第2项之方法，其中对于300 mm直径晶圆形式之底材，其电浆之施加系以约100瓦至约2000瓦之间的射频功率而启始并维持。如申请专利范围第2项之方法，其中对于300 mm直径晶圆形式之底材，其电浆之施加系以约500瓦的射频功率而启始并维持。如申请专利范围第1项之方法，其中其稳定之键结界面在约3μm宽度的一个选定范围内之缺陷不多于一个。如申请专利范围第13项之方法，其中该范围系利用a)在近接于键结界面之处剥离半导体构造；与b)化学蚀刻键结界面以显露出横越键结界面的未建立之共价键结而被整备检视其缺陷。如申请专利范围第14项之方法，其中键结界面系以赖特(Wright)溶液进行化学蚀刻。如申请专利范围第15项之方法，其中键结界面系为一SiO2/Si界面。如申请专利范围第16项之方法，其中化学蚀刻步骤进行约十秒钟。如申请专利范围第1项之方法，其中其稳定之键结界面在约3μm宽度的一个选定范围内之没有缺陷。如申请专利范围第1项之方法，其中其稳定之键结界面在各约3μm宽度的三个选定范围内之没有多于一个以上的缺陷。如申请专利范围第19项之方法，其中其稳定之键结界面在各约3μm宽度的三个选定范围内之没有缺陷。如申请专利范围第1项之方法，其中该至少一次快速热回火操作系在约1200℃下执行约5秒至约60秒的时间。如申请专利范围第1项之方法，其中该至少一次快速热回火操作系在约1200℃下执行约30秒的时间。如申请专利范围第1项之方法，其中该薄化步骤系在两次快速热回火操作之间进行。如申请专利范围第23项之方法，其中该薄化步骤包括一次乾蚀刻步骤。如申请专利范围第23项之方法，其中该薄化步骤包括在含有氯化氢酸的蚀刻气体内的所进行的回火。如申请专利范围第23项之方法，其中该薄化步骤包括在约800℃至约1000℃之间的温度下所进行的半导体构造之氧化。如申请专利范围第26项之方法，其中该薄化步骤包括在约950℃的温度下所进行的半导体构造之氧化。如申请专利范围第27项之方法，其更包含半导体表面之去氧化以将薄化步骤期间所形成的氧化物层去除掉。如申请专利范围第1项之方法，其中一第二次快速热回火操作系在约1250℃下执行约5秒至约60秒的时间。依据申请专利范围第1项之方法所制作之一产品。如申请专利范围第30项之产品，其中该产品系为一电子元件。如申请专利范围第30项之产品，其中该产品系为一光学元件。如申请专利范围第30项之产品，其中该产品系为一光电元件。 |
