| 主权项 |
一种无电(electroless)制程室，具有适用以处理一基材之一处理区域，包含：一平台组件，位于该处理区域，该平台组件包含：一基底构件，具有贯穿其中而形成之一流通孔；一流体扩散构件，密设于该基底构件且具有一上游侧与一下游侧，其中该流体扩散构件具有复数个流道，该些流道系在该上游侧与该下游侧之间为流体连通(fluid communication)；一流体空间，形成在该基底构件与该流体扩散构件的该上游侧之间；一特征结构(feature)，突出于该流体扩散构件的该下游侧上方一第一距离；以及一可旋转之基材支撑组件，位于该处理区域且具有一基材支撑面，其中该可旋转之基材支撑组件系耦接该平台组件并适用于相对该平台组件旋转。如申请专利范围第1项所述之无电制程室，其中该流体扩散构件实质上为盘形，且该特征结构之一表面符合该盘形流体扩散构件之一外缘。如申请专利范围第1项所述之无电制程室，其中该第一距离为约0.5毫米至约25毫米。如申请专利范围第1项所述之无电制程室，其中该流体扩散构件的该下游侧具有一表面粗糙度(Ra)为约1.6微米至约20微米。一种无电制程室，具有适用以处理一基材之一处理区域，包含：一平台组件，位于该处理区域，该平台组件包含：一基底构件，具有贯穿其中而形成之一流通孔；一流体扩散构件，密设于该基底构件且具有一上游侧与一下游侧；一流体空间，形成在该基底构件与该流体扩散构件的该上游侧之间；以及复数个流道，形成于该流体扩散构件中，其中该复数个流道系在该流体扩散构件的该上游侧与该下游侧之间为流体连通，且该复数个流道中之至少一者更包含：一第一特征结构，与该上游侧为流体连通，且具有一第一截面积；以及一第二特征结构，具有一第二截面积，其中该第一特征结构与该第二特征结构彼此为流体连通；以及一可旋转之基材支撑组件，位于该处理区域且具有一基材支撑面，其中该可旋转之基材支撑组件系耦接该平台组件并适用于相对该平台组件旋转。如申请专利范围第5项所述之无电制程室，其中该第二截面积大于该第一截面积。如申请专利范围第5项所述之无电制程室，其中该复数个流道包含：由至少四流道组成之一阵列，系实质平均分布于该下游侧；以及一环形特征结构，突出于该下游侧上方一第一距离，其中该第一距离为约0.5毫米至约25毫米。如申请专利范围第5项所述之无电制程室，其中该复数个流道包含由多个流道组成之一阵列排列呈方形、矩形、放射状、或六方紧密堆积方位(hexagonal close packed orientation)。如申请专利范围第5项所述之无电制程室，其中该流道中的至少二个或多个流道更包含从该上游侧部分延伸的一第一圆柱状结构，以及与该第一圆柱状结构为流体连通的一第二圆柱状结构，其中该第二圆柱状结构的一截面积大于该第一圆柱状结构。一种无电制程室，适用以处理一基材，包含：一可旋转之基材支撑组件，位于该无电制程室的一处理区域，且具有一或多个基材支撑面；一边堤，位于该处理区域且具有一第一表面，其中该边堤及/或该一或多个基材支撑面上的一基材系可定位，而于该边堤的该第一表面与该基材的一边缘之间形成一间隙；以及一流体源，系定位而用来输送一无电处理溶液至该基材支撑组件上的一基材之一表面。如申请专利范围第10项所述之无电制程室，其中该流体源更包含一流体加热器，系与由该流体源输送出的该无电处理溶液为热连通(thermal communication)。如申请专利范围第10项所述之无电制程室，其中该边堤更包含一升降组件，该升降组件系适用以相对于该一或多个基材支撑面上的该基材之一表面来定位该边堤。一种无电制程室，系适用以处理一基材，包含：一可旋转之基材支撑组件，位于该无电制程室的一处理区域，其中该可旋转之基材支撑组件具有一或多个基材支撑特征结构，且每一特征结构具有一基材支撑面；一碗状组件，位于该处理区域，且具有一或多个内壁而形成一流体空间，其中该流体空间系按照可使该一或多个基材支撑特征结构浸没在该流体空间内的一流体中之尺寸而制作；以及一流体源，与该流体空间及设置于该一或多个基材支撑面上的一基材为流体连通。如申请专利范围第13项所述之无电制程室，其中该无电制程室更包含一流体加热器，系与位于该流体空间内的该流体为热连通。如申请专利范围第13项所述之无电制程室，其中该无电制程室更包含一升降组件，该升降组件系适用以相对于该碗状组件的该一或多个内壁而定位该可旋转之基材支撑组件。如申请专利范围第13项所述之无电制程室，其中该可旋转之基材支撑组件更包含：一充气部(plenum)，系与该基材支撑面为流体连通；以及一真空源，与该充气部及设置于该基材支撑面上的一基材为流体连通。一种无电制程室，系适用以处理一基材，包含：一基材支撑组件，位于该无电制程室的一处理区域，其中该基材支撑组件具有一或多个相隔的基材支撑特征结构，且每一特征结构具有一基材支撑面；一碗状组件，位于该处理区域，且具有一或多个内壁而形成一流体空间，其中该流体空间系按照可使该一或多个相隔的基材支撑特征结构浸没在该流体空间内的一流体中之尺寸而制作；一马达，系适用以旋转该一或多个相隔的基材支撑特征结构；一间隙，形成在设置于该一或多个相隔的基材支撑特征结构上的一基材之一表面与该碗状组件的该一或多个内壁之一表面之间；以及一流体源，系与该流体空间及设置在该一或多个基材支撑面上的该基材之该表面为流体连通。一种无电制程室，系适用以处理一基材，包含：一平台组件，位于一处理区域，该平台组件包含：一流体扩散构件，具有一上游侧、一下游侧和适用以提供该上游侧与该下游侧之间为流体连通的复数个流道；一第一基底构件，具有贯穿其中而形成之一第一流通孔，其中该第一基底构件密设于该流体扩散构件，且该第一流通孔与形成于该流体扩散构件中的该复数个流道中之至少一者为流体连通；以及一第二基底构件，具有贯穿其中而形成之一第二流通孔，其中该第二基底构件密设于该流体扩散构件，且该第二流通孔与形成于该流体扩散构件中的该复数个流道中之至少一者为流体连通；以及一可旋转之基材支撑组件，位于该处理区域且具有一基材支撑面，其中该可旋转之基材支撑组件系耦接该平台组件并适用于相对该平台组件旋转。一种于一无电制程室中处理一基材的方法，包含：将一基材定位于一基材支撑物上的一基材接收面；将该基材支撑物定位于与一扩散构件有一距离之处；经由该扩散构件中的复数个流道流入一控温流体，使该控温流体接触该基材的一第一表面；相对该扩散构件旋转该基材与该基材支撑物；以及分配一无电镀(electroless deposition)处理流体至该基材的一第二表面，以沉积一无电层于该第二表面上。如申请专利范围第19项所述之方法，其中分配一无电镀处理流体的步骤更包含：从一来源流入一无电镀处理流体；利用一可移动之臂组件来配置一喷嘴于该基材的该第二表面上方；以及从该喷嘴分配该无电镀处理流体至该基材上。如申请专利范围第19项所述之方法，更包含在分配该无电镀处理流体至该基材的该第二表面之前，去除该无电镀处理流体中的气体。一种于具有一处理区域之一无电制程室中处理一基材的方法，包含：将一基材定位至保持在该处理区域中之一基材支撑物上的一基材接收面；将该基材接收面定位于与保持在该处理区域中之一扩散构件有一距离之处；相对该扩散构件旋转该基材与该基材支撑物；流入源自一制程气体源的一气体至该处理区域；经由形成于该扩散构件中的复数个流道流入一流体；将该基材接收面定位于与该扩散构件有一距离之处，使得该基材的一第一表面接触该流体；以及分配一第一无电镀处理流体至该基材的一第二表面。 |
