发明名称 影像显示系统之制造方法
摘要
申请公布号 TWI344215 申请公布日期 2011.06.21
申请号 TW096128838 申请日期 2007.08.06
申请人 奇美电子股份有限公司 发明人 森本佳宏;李淂裕;刘侑宗;陈峰毅
分类号 H01L29/786;H01L51/00 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 一种影像显示系统之制造方法,其中该系统具有一薄膜电晶体装置,而该方法包括:提供一基底,其具有一驱动电路区及一画素区;在该驱动电路区的该基板上形成一反射板;在该驱动电路区及该画素区的该基底上形成一绝缘层,以覆盖该反射板;在该绝缘层上形成一非晶矽层;藉由一波长不小于400nm的雷射光束对该非晶矽层进行退火处理,使该非晶矽层转变成一多晶矽层,其中直接位于该反射板上该部分的该多晶矽层具有一晶粒尺寸,且大于其他部分的该多晶矽层的晶粒尺寸;以及图案化该多晶矽层,以在该反射板上形成一第一主动层且在该画素区的该基底上形成一第二主动层。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统之制造方法,更包括:分别在该第一及该第二主动层上覆盖由一闸极介电层及一闸极层所构成的叠层;以及对该第一及该第二主动层实施重离子布植,以分别在该第一及该第二主动层中形成一通道区且在该通道区的两侧形成一对源极/汲极区。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统之制造方法,其中该雷射光束为固态雷射光束。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统之制造方法,其中该绝缘层系由一氧化矽层、一氮化矽层、或其组合所构成。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统之制造方法,更包括在该基底与该第一及该第二主动层之间形成一缓冲层,且其由一氧化矽层、一氮化矽层、或其组合所构成。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统之制造方法,其中该反射板完全覆盖该驱动电路区的该基底。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统之制造方法,其中该第一主动层大体对准于该反射板。如申请专利范围第1项所述之影像显示系统之制造方法,其中该反射板系由金属所构成。
地址 苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科学路160号