SOURCE DE PHOTONS RESULTANTS D'UNE RECOMBINAISON D'EXCITONS LOCALISES

摘要

L'invention concerne une source de photons résultants d'une recombinaison d'excitons localisés, comprenant une couche semiconductrice (24) dont une partie centrale est encadrée de régions (28, 29) fortement dopées ; au-dessus de ladite partie centrale une portion de couche (25) contenant des éléments activables par excitons (26), revêtue d'une première métallisation (27) ; et sous la couche semiconductrice, une deuxième métallisation (22) plus étendue que la première métallisation (27). La distance entre les première et deuxième métallisations est de l'ordre de 10 à 60 nm ; et l'étendue latérale de la première métallisation est de l'ordre de λ0/10*ne à λ0/2*ne, où λ0 est la longueur d'onde dans le vide de la lumière émise et ne est l'indice efficace du mode formé dans la cavité constituée par les deux métallisations.