发明名称 电子材料用Cu-Co-Si系铜合金及其制造方法
摘要 本发明提供一种Cu-Co-Si系合金,其具备适合作为电子材料用铜合金的机械及电特性,且机械特性均一。电子材料用铜合金含有Co:0.5~4.0质量%、Si:0.1~1.2质量%,余部包括Cu及不可避免的杂质。平均结晶粒径为15~30μm,每0.5mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径的差的平均在10μm以下。
申请公布号 CN102099499A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN201080002031.0 申请日期 2010.02.17
申请人 JX日矿日石金属株式会社 发明人 恩田拓磨;桑垣宽
分类号 C22C9/06(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22C9/05(2006.01)I;C22C9/10(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I;C22F1/02(2006.01)I 主分类号 C22C9/06(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 卢曼;李炳爱
主权项 电子材料用铜合金,其含有Co:0.5~4.0质量%、Si:0.1~1.2质量%,余部包括Cu及不可避免的杂质,其中,平均结晶粒径为15~30μm,每0.5mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径的差的平均在10μm以下。
地址 日本东京都