| 发明名称 | 一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，首先对硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用HF、HNO3与水或醋酸按体积比HF∶HNO3∶水或醋酸＝1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；之后再次进行去离子水清洗；然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5～15分钟的范围；完成后用0.5％浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水进行清洗。本发明适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程，更好地保证刻蚀过程不对硅片表面精细的绒面结构产生影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102097526A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN201010298887.9 | 申请日期 | 2010.10.08 |
| 申请人 | 常州天合光能有限公司 | 发明人 | 盛健 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人 | 王凌霄 |
| 主权项 | 一种晶体硅RIE制绒的表面损伤层清洗工艺，其特征在于：首先对反应离子刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；然后利用HF、HNO3与缓冲腐蚀剂按体积比HF∶HNO3∶缓冲腐蚀剂＝1∶50∶100的混合溶液进行第一次去损伤清洗；之后再次进行去离子水清洗；然后采用HN4OH、H2O2与H2O按体积比HN4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5的混合溶液在60℃～75℃进行二次清洗刻蚀，二次清洗时间控制在5～15分钟的范围；完成后用0.5％浓度的HF溶液进行沾洗；最后用去离子水进行清洗。 | ||
| 地址 | 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 | ||