量子点植入反射式主动光栅及其制造方法

摘要

本发明公开了一种量子点植入反射式主动光栅及其制造方法，该方法利用量子点具有优良的光致发光能力，且色度选择范围宽的特点，采用压印工艺，首次将量子点埋入光栅结构中，通过结构设计及量子点种类的选择，实现量子点所发射光线与光栅反射的光线共同衍射，增强了衍射效果。本发明制作过程为：使用电子束光刻及真空熔铸法制作量子点及光栅模具，使用压印工艺制作量子点及光栅微结构图案，最终形成光栅结构。光栅周期为20nm至20μm，槽宽20nm至20μm，高度为20nm至20μm，光栅微结构形状为圆柱、正方形、长方形、菱形或六边形以及梯形等图形，微结构边缘与铅直方向夹角可控，夹角范围在0至90度之间。

主权项

一种量子点植入反射式主动光栅，其特征在于：所述光栅结构为微米阵列交错排列结构，光栅内部设置有量子点，该量子点表面包覆有PDMS胶状液，量子点和其表面包覆的PDMS胶状液构成光栅表面的凸起。