发明名称 |
一种下电极装置及应用该下电极装置的等离子体处理设备 |
摘要 |
本发明提供一种下电极装置,包括电极主体、电极电源、环绕电极主体而设置的电极基环组以及基环电源。电极基环组至少包括自上而下依次层叠的绝缘基环和导体基环,其中,导体基环与基环电源相连接,基环电源的参数可被调节以在下电极装置上方获得均匀分布的偏压电场。本发明还提供一种等离子体处理设备,包括工艺腔室,在工艺腔室内部的下方还设置本发明提供的下电极装置,用以在工艺腔室内形成均匀的偏压电场。 |
申请公布号 |
CN102098862A |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN200910241849.7 |
申请日期 |
2009.12.10 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
张庆钊 |
分类号 |
H05H1/46(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/46(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
张天舒;陈源 |
主权项 |
一种下电极装置,用于在等离子体处理设备的工艺腔室内形成均匀的偏压电场,包括电极主体、与所述电极主体相连接的电极电源,其特征在于,所述下电极装置还包括环绕所述电极主体而设置的电极基环组以及与所述电极基环组相连接的基环电源,所述电极基环组至少包括自上而下依次层叠的绝缘基环和导体基环,所述导体基环与所述基环电源相连接,所述基环电源的参数可被调节以在所述下电极装置上方获得均匀分布的偏压电场。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 |