| 发明名称 | 具有埋入式栅极的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造具有埋入式栅极的半导体器件的方法。在单元区域中形成位线触点(27)之前，首先在外围区中形成栅极导电层(21)，从而简化制造工序并且不会遇到由单元区域与核心/外围区域之间的阶高造成的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102097375A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN201010001269.3 | 申请日期 | 2010.01.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金永得 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 一种制造具有埋入式栅极的半导体器件的方法，包括：在单元区域中形成埋入式栅极(18)；在外围区和所述单元区域中形成栅极导电层(21)；使用单元区域敞开掩模移除所述单元区域中的所述栅极导电层(21)；在所述栅极导电层被移除的所述单元区域中形成位线触点(27)；在所述单元区域和所述外围区中形成位线导电层(28)；以及通过将所述位线导电层(28)图案化而在所述单元区域中形成位线(31)，并通过将所述栅极导电层(21)图案化而在所述外围区中形成栅极(32)。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||