发明名称 等离子体放电处理装置
摘要 一种等离子体放电处理装置,通过在大气压或大气压附近的压力下,在对置的两种电极之间,以超过10kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电,使反应性气体成为等离子态,通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底,在上述衬底上形成薄膜,其特征在于:上述衬底是长形膜,上述对置电极中的至少一个是与上述长形膜接触,且沿上述长形膜的传送方向旋转的辊电极;至少与上述辊电极对置的电极,是导电性母材被介电体覆盖的介电体覆盖电极;至少上述辊电极的与上述衬底相接触的面的表面粗糙度Rmax为10μm以下。
申请公布号 CN101333654B 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN200810098597.2 申请日期 2001.12.06
申请人 柯尼卡美能达控股株式会社 发明人 福田和浩;近藤庆和;村上隆;岩丸俊一;村松由海;辻稔夫
分类号 C23C16/505(2006.01)I;H05H1/48(2006.01)I 主分类号 C23C16/505(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 郭放
主权项 一种等离子体放电处理装置,通过在20kPa~110kPa的压力下,在对置的两种电极之间,以超过10kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电,使反应性气体成为等离子态,通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底,在上述衬底上形成薄膜,其特征在于:上述衬底是长形膜,上述对置电极中的至少一个是与上述长形膜接触,且沿上述长形膜的传送方向旋转的辊电极;至少与上述辊电极对置的电极,是导电性母材被介电体覆盖的介电体覆盖电极;至少上述辊电极的与上述衬底相接触的面的表面粗糙度Rmax为10μm以下。
地址 日本东京都