发明名称 检测刻蚀液过滤器的方法
摘要 本发明提供了一种检测刻蚀液过滤器的方法,包括在覆盖一层均匀氧化物薄膜的晶片上选定多个点;测量所述晶片在所述多个点处的初始厚度;对所述晶片进行过刻蚀处理;测量所述晶片在所述多个点处的残留厚度;计算各个点处的初始厚度与残留厚度的差值并计算这些差值的标准方差,将所述标准方差与标准值做比较,若大于标准值,表明检测结果不合格,需要更换所述过滤器,若小于标准值,表明检测结果合格,本发明能够检测到过滤器的老化与否,为在过滤器老化的情况下,及时更换过滤器提供了判定依据,减少了由于过滤器老化而导致的次品的产生,保证了产品的合格率。
申请公布号 CN101769848B 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN200810204980.1 申请日期 2008.12.30
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 魏广升;赵建方;王瑞明;黄海英
分类号 G01N15/08(2006.01)I;G01N33/00(2006.01)I 主分类号 G01N15/08(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种检测刻蚀液过滤器的方法,包括以下步骤:S1:在覆盖一层均匀氧化物薄膜的晶片上选定多个点;S2:测量所述晶片在所述多个点处的初始厚度;S3:对所述晶片进行湿法刻蚀;S4:测量所述晶片在所述多个点处的残留厚度;S5:计算各个点处的初始厚度与残留厚度的差值以及这些差值的标准方差,将所述标准方差与一标准值做比较,若大于标准值,检测结果不合格,说明过滤器老化严重要更换所述过滤器,若小于标准值,检测结果合格;其特征在于:所述湿法刻蚀为过刻蚀处理。
地址 201203 上海市张江路18号