| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底为N型掺杂；在所述半导体衬底上形成栅极结构；进行离子注入，在所述半导体衬底上形成轻掺杂源区与轻掺杂漏区，所述轻掺杂源区与轻掺杂漏区的注入离子为含硼元素离子；在所述半导体衬底上形成衬垫氧化层；对所述衬垫氧化层进行等离子体处理。所述等离子体处理既可以降低衬垫氧化层中的氢含量，还可以减少后续退火处理中轻掺杂源区与轻掺杂漏区的掺杂离子向衬垫氧化层中的扩散，避免了掺杂离子的过度损失。 | ||
| 申请公布号 | CN102097319A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200910201182.8 | 申请日期 | 2009.12.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李敏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底为N型掺杂；在所述半导体衬底上形成栅极结构；进行离子注入，在所述半导体衬底上形成轻掺杂源区与轻掺杂漏区，所述轻掺杂源区与轻掺杂漏区的注入离子为含硼元素离子；在所述半导体衬底上形成衬垫氧化层；对所述衬垫氧化层进行等离子体处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||