存储器件制造方法

摘要

本发明提供了一种存储器件制造方法包括：提供至少一个存储单元，包括衬底，衬底中具有第一扩散区和第二扩散区；所述第一扩散区和所述第二扩散区之间具有栅极结构，在所述存储单元上形成覆盖第一扩散区、第二扩散区和栅极结构的导电层，所述第一扩散区和第二扩散区上的导电层高度高于栅极结构的高度；在存储单元边缘的导电层上形成台阶层；在所述导电层上形成平坦化层；对所述平坦化层和所述导电层刻蚀；继续对导电层刻蚀。本发明减少了存储器件的字线凹陷的问题。

主权项

一种存储器件制造方法，其特征在于，包括步骤：提供至少一个存储单元，其包括衬底，衬底中具有第一扩散区和第二扩散区；所述第一扩散区和所述第二扩散区之间具有栅极结构，所述栅极结构包括从衬底依次层叠排列的栅氧层、浮置栅极、介质层及控制栅极；在所述存储单元上形成覆盖第一扩散区、第二扩散区和栅极结构的导电层，所述第一扩散区和第二扩散区上的导电层高度高于栅极结构的高度；在存储单元边缘的导电层上形成台阶层，所述台阶层位于栅极结构外侧，且距离边缘的栅极结构预定尺寸；在所述导电层上形成平坦化层；对所述平坦化层和所述导电层刻蚀，直到所述导电层和平坦化层的表面为平坦表面，所述刻蚀对平坦化层的刻蚀速率小于对导电层的刻蚀速率；继续对导电层刻蚀，使得所述导电层表面低于栅极结构表面，所述第一扩散区上的导电层作为擦除线，所述第二扩散区上的导电层作为字线。