双通道沟槽LDMOS晶体管和BCD工艺

摘要

一个双通道沟槽LDMOS晶体管包括一个第一导电类型的衬底；一个形成在衬底上的第二导电类型的半导体层；一个形成在半导体层中的第一沟槽，沟槽栅极形成在第一沟槽的上部；一个形成在半导体层中第一沟槽附近的第一导电类型的本体区；一个形成在本体区中第一沟槽附近的第二导电类型的源极区；一个覆盖在本体区上方的平面栅极；一个第二导电类型的漏极区，漏极漂移区将漏极区和本体区间隔开来。平面栅极在本体区中构成一个横向通道，第一沟槽中的沟槽栅极在LDMOS晶体管的本体区中，构成一个垂直通道。

主权项

一种双通道沟槽横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括：一个第一导电类型的衬底；一个形成在衬底上的第二导电类型的半导体层；一个形成在半导体层中的第一沟槽，用沟槽电介质填充第一沟槽，并在第一沟槽中形成一个沟槽栅极，通过第一栅极介质层，沟槽栅极与第一沟槽的侧壁绝缘；一个形成在第一沟槽附近半导体层中的第一导电类型的本体区；一个形成在本体区中，第一沟槽附近的第二导电类型的源极区；一个通过第二栅极介质层与半导体层绝缘的平面栅极，加在本体区上，所形成的源极区与平面栅极的第一边缘对齐；以及一个形成在半导体层中的第二导电类型的漏极区，漏极漂移区将漏极区和本体区间隔开来；其中平面栅极构成在源极区和漏极漂移区之间的本体区中的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的横向通道，第一沟槽中的沟槽栅极在本体区中，沿源极区和半导体层之间的第一沟槽的侧壁，构成横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的垂直通道。