AlGaN块状晶体制造方法和AlGaN衬底制造方法

摘要

本发明提供一种用于制造厚、高品质的AlGaN块状晶体的方法。本发明还提供了一种用于制造高品质的AlGaN衬底的方法。所述制造AlGaN块状晶体的方法包括如下步骤：首先，准备由AlaGa(1-a)N(0＜a≤1)制成的底部衬底。接着，在所述底部衬底上生长由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的具有主面的块状晶体。所述底部衬底的Al组成比(a)大于所述块状晶体的Al组成比(b)。所述制造AlGaN衬底的方法包括从上述块状晶体中切下一个以上由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的衬底的步骤。

主权项

一种AlGaN块状晶体制造方法，所述方法包括：准备由AlaGa(1‑a)N(0＜a≤1)构成的底部衬底的步骤；以及在所述底部衬底上生长具有主面的由AlbGa(1‑b)N(0＜b＜1)构成的块状晶体的步骤，其中所述底部衬底中Al的组成比a大于所述块状晶体中Al的组成比b。