制备电荷平衡的多-纳米壳漂移区的方法

摘要

一种制备基础衬底上方的超级结半导体器件电荷平衡的多-纳米壳漂移区的方法。该方法不会产生高热耗散并且产量更高。多-纳米壳漂移区带有多个交替、基本电荷平衡的第一导电类型和第二导电类型以及高度为NSHT的同心的纳米壳组件NSM1、NSM2、…、NSMi、…、NSMM(M＞1)。首先，在基础衬底上方形成一个体状漂移层。在体状漂移层的顶面内，制备一个大体垂直的空穴，其形状和尺寸是预先设置的，深度为NSHT。在垂直空穴内部先后形成壳组件NSM1、NSM2、…、NSMM，首先在垂直空穴的垂直侧壁上，然后移向中心，以便一个接一个地填充垂直空穴，直到仍然有剩余空间为止。通过形成半绝缘或绝缘的填充式纳米板，填满剩余空间。

主权项

一种用于在第二导电类型的基础衬底上方，制备超级结器件电荷基本平衡的多‑纳米壳漂移区的方法，其特征在于，所述的多‑纳米壳漂移区具有一个纳米壳集合，带有多个电荷基本平衡的第一导电类型和第二导电类型相互交替以及高度为NSHT的同心的纳米壳组件NSM1、NSM2、..、NSMi、..、NSMM(M＞1)，该方法包括：步骤1：提供基础衬底，并在上方形成一个体状漂移层；步骤2：在体状漂移层的顶面内，制备一个垂直的空穴，其形状和尺寸是预先设置的，深度为NSHT；步骤3：在垂直空穴内部先后形成壳组件NSM1、NSM2、..、NSMM(M＞1)，首先在垂直空穴的垂直侧壁上，然后移向中心，以便依次填充垂直空穴，直到留有一剩余空间为止；以及步骤4：通过形成半绝缘或绝缘的填充式纳米板，填满剩余空间。