发明名称 | 双镶嵌结构的形成方法 | ||
摘要 | 一种双镶嵌结构的制造方法,包括:提供表面具有导电区域的衬底,所述衬底上形成有层间介质层,所述层间介质层中形成有通孔,所述通孔位置与所述导电区域位置相对应;在所述层间介质层上和所述通孔内形成第一抗反射层,对接触通孔进行填充;在所述第一抗反射层上形成第二抗反射层,其中,所述第二抗反射层的黏度大于第一抗反射层;对所述第二抗反射层、第一抗反射层和层间介质层进行沟槽的图形化,刻蚀所述第二抗反射层、第一抗反射层和部分所述层间介质层形成沟槽,所述沟槽底部至少与一个通孔连通;在所述沟槽和通孔中填充导电材料;对导电材料进行平坦化处理,形成双镶嵌结构。 | ||
申请公布号 | CN102097361A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
申请号 | CN200910201178.1 | 申请日期 | 2009.12.15 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 田彬;安辉 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
主权项 | 一种双镶嵌结构的形成方法,包括:提供表面具有导电区域的衬底,所述衬底上形成有层间介质层,所述层间介质层中形成有通孔,所述通孔位置与所述导电区域位置相对应;在所述层间介质层上和所述通孔内形成第一抗反射层,对接触通孔进行填充;在所述第一抗反射层上形成第二抗反射层,其中,所述第二抗反射层的黏度大于第一抗反射层;对所述第二抗反射层、第一抗反射层和层间介质层进行沟槽的图形化,刻蚀所述第二抗反射层、第一抗反射层和部分所述层间介质层形成沟槽,所述沟槽底部至少与一个通孔连通。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |