| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其抑制在焊盘下方的绝缘膜中的裂纹的产生。半导体装置(10)具备在基板(4)上形成的绝缘膜(3)、包含在绝缘膜(3)中形成的多个配线(20)的配线层、在绝缘膜(3)上形成的焊盘(1)。在包含焊盘(1)下方的至少一部分的区域中，构成与该区域外相比相邻的多个配线(20)彼此的间隔变窄的窄配线间隔区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102097393A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN201010578430.3 | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 小寺启介 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：在基板上形成的绝缘膜；包含在所述绝缘膜中形成的多个配线的配线层；在所述绝缘膜上形成的焊盘，在包含所述焊盘下方的至少一部分的区域中，构成与所述区域外相比相邻的所述多个配线彼此的间隔变窄的窄配线间隔区域。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||