| 发明名称 | 压电薄膜元件及压电薄膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种压电薄膜元件及压电薄膜装置。该压电薄膜元件为在基板上具有以组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜的压电薄膜元件，用(K1-xNax)yNbO3表示的上述压电薄膜的组成比x、y处于0.4≤x≤0.7且0.7≤y≤0.94的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN102097582A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN201010556495.8 | 申请日期 | 2010.11.18 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 柴田宪治;末永和史;野本明;渡边和俊 |
| 分类号 | H01L41/187(2006.01)I;H01L41/08(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/187(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 压电薄膜元件，其特征在于，该压电薄膜元件是基板上具有以组成式(K1‑xNax)yNbO3表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜的压电薄膜元件，以(K1‑xNax)yNbO3表示的所述压电薄膜的组成比x、y处于0.4≤x≤0.7且0.7≤y≤0.94的范围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||