发明名称 一种新型封装结构的大功率模块
摘要 本发明公开了一种新型封装结构的大功率模块,它包括基板、直接敷铜基板(DBC)、绝缘栅双极性晶体管(IGBT)芯片、二极管芯片、功率端子、信号端子和外壳,功率端子头部有预折弯结构,该预折弯结构的功率端子与直接敷铜基板通过超声焊接结合,信号端子上设有焊脚,信号端子的焊脚与直接敷铜基板通过超声焊接结合,外壳上设有卡扣、螺母基座,卡扣和螺母基座匹配。本发明具有可靠性高,生产工艺简便的特点。
申请公布号 CN102097416A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN201010530403.9 申请日期 2010.11.04
申请人 嘉兴斯达微电子有限公司 发明人 吕镇;金晓行
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/04(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 沈志良
主权项 一种新型封装结构的大功率模块,包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片、功率端子、信号端子和外壳,基板和直接敷铜基板通过钎焊结合,绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合,功率端子和直接敷铜基板通过超声焊接结合,信号端子和直接敷铜基板同样通过超声焊接结合,外壳和基板固定,其特征在于功率端子头部有预折弯结构,该预折弯结构的功率端子与直接敷铜基板通过超声焊接结合,信号端子上设有焊脚,信号端子的焊脚与直接敷铜基板通过超声焊接结合,外壳上设有卡扣、螺母基座,卡扣和螺母基座匹配。
地址 314000 浙江省嘉兴市南湖区中环南路斯达路18号