发明名称 |
一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管 |
摘要 |
一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管,属于半导体光电子技术领域。包括上层p型电极、蓝色发光单元、隧道结、绿色发光单元、上层n型电极和蓝宝石衬底构成的上层结构,或者由蓝绿光p-电极、蓝绿光发光单元、蓝绿光n-电极和蓝宝石衬底构成的上层结构;由下层n型电极、红色发光单元和下层p型电极构成的下层结构,其中上层结构和下层结构分别在蓝宝石衬底的两侧生长,制作工艺过程不需要芯片键合,划片后,芯片采用倒装焊方式焊接在硅或其他材料的散热基座上。此结构中蓝宝石衬底的引入增加了侧壁出光,增加了光提取效率和显色指数。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好、适用于批量生产。 |
申请公布号 |
CN102097553A |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN201010579888.0 |
申请日期 |
2010.12.03 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
郭伟玲;闫薇薇;崔碧峰;刘莹;高伟 |
分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
刘萍 |
主权项 |
一种基于蓝宝石衬底的单芯片白光发光二极管,其特征在于,其结构从上至下依次包括由上层p型电极(1)、蓝色发光单元(26)、隧道结(9)、绿色发光单元(25)、上层n型电极(22)和蓝宝石衬底(15)构成的上层结构,或者由蓝绿光p‑电极(27)、蓝绿光发光单元(36)、蓝绿光n‑电极(35)和蓝宝石衬底(15)构成的上层结构;由下层n型电极(23)、红色发光单元(24)和下层p型电极(21)构成的下层结构,用外延方法在同一蓝宝石衬底的两面分别生长上述的上层结构和下层结构。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |