| 发明名称 | 一种厚膜光刻胶清洗液及其清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种厚膜光刻胶清洗液及其清洗方法。该光刻胶清洗液包含二甲基亚砜，氢氧化钾，芳基醇，醇胺，金属腐蚀抑制剂。本发明的光刻胶清洗液可以在较大的温度范围内(30～90℃)使用，用于除去半导体制造工艺中金属、金属合金或电介质等基材上的较厚光刻胶，特别是适合用于除去厚度在100μm以上的高交联度的负性光刻胶。同时，该光刻胶清洗液对铜、锡、铅等金属具有极弱的腐蚀性，不会对晶片图案和基材造成损坏，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN102096345A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200910200318.3 | 申请日期 | 2009.12.11 |
| 申请人 | 安集微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 刘兵;彭洪修;孙广胜 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 一种厚膜光刻胶清洗液，其包含：二甲基亚砜，氢氧化钾，芳基醇，醇胺，金属腐蚀抑制剂。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 | ||