一种亮度可调的发光器件、阵列及其制造方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种亮度可调的发光器件、阵列及其制造方法。所述发光器件包括包括一个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上的MOSFET和发光二极管。发光二极管（LED）及其控制元件（MOSFET）集成在同一个芯片上，使单个芯片就可以实现图像的发射。由多个所述的发光器件还可以构成发光器件阵列。同时，本发明还公开了所述发光器件的制造方法。采用本发明所提出的发光器件制造的投影设备具有体积小、可便携性、功耗低等优点，而且，集成电路芯片的使用，使得投影设备系统大大简化，降低了生产成本，并且可以大大提高像素及亮度。

主权项

一种亮度可调的发光器件，其特征在于包括一个半导体衬底、位于所述半导体衬底之上的MOSFET和发光二极管,其特征在于，所述发光二极管包括发光层、位于所述发光层之上的p型区域、位于所述发光层之下的n型区域；所述MOSFET包括一个硅衬底、位于所述硅衬底之上的栅区、位于所述硅衬底内所述栅区两侧的源区和漏区；所述MOSFET的硅衬底通过隔离结构与所述发光二极管、所述半导体衬底相隔离；所述MOSFET的源区与所述发光二极管的p型区域通过金属连接，所述MOSFET控制所述发光二极管发光。