| 发明名称 | 用于在闪存存储器中每信号电平编程多个编程值的方法和装置 | ||
| 摘要 | 提供了用于在闪存存储器中每信号电平编程多个编程值的方法和装置。通过对于给定的信号电平对闪存存储器器件编程来对具有多个编程值的闪存存储器器件编程，其中编程步骤包括编程阶段和多个验证阶段。在另一变化方案中，对具有多个编程值的闪存存储器器件编程，并且编程步骤包括编程阶段和多个验证阶段，其中至少一个信号电平包括多个编程值。可以使用电压、电流和电阻中的一个或更多个来表示信号电平或编程值(或此两者)。 | ||
| 申请公布号 | CN102099865A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200980128255.3 | 申请日期 | 2009.07.21 |
| 申请人 | LSI公司 | 发明人 | E·F·哈拉特施;M·伊威科维克;V·克拉琦科夫斯基;N·米拉德诺维奇;A·维贾耶夫;J·延 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种用于对具有多个编程值的闪存存储器器件编程的方法，包括：对于给定信号电平对所述闪存存储器器件编程，其中所述编程步骤包括编程阶段和多个验证阶段。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||