具有变化沟道区介面的非易失性存储器的操作方法

摘要

本发明是有关于一种具有变化沟道区介面的非易失性存储器的操作方法，此变化沟道区介面例如是举升的源极与漏极或凹入沟道区。

主权项

一种非易失性存储器单元的集成电路的操作方法，包含以下步骤：接收命令以对应于该集成电路执行下列步骤以读取该非易失性存储器单元：施加读取偏压配置至：1)由沟道区分离的该非易失性存储器单元的源极区与漏极区；及2)该非易失性存储器单元的栅极区，以经由储存于该非易失性存储器单元的电荷储存结构上的电荷，来决定该非易失性存储器单元所储存的逻辑状态；其中，该源极区与该漏极区具有不同电压，以使该源极区与该漏极区的一区为较高电压区而该源极区与该漏极区的另一区为较低电压区，而该较高电压区与该较低电压区在1)该读取偏压配置以及2)编程偏压配置之间交换，该编程偏压配置用以添加储存于该电荷储存结构上的电荷；其中该非易失性存储器单元包含一个或多个介电结构至少部分位于该电荷储存结构与该沟道区之间，且至少部分位于该电荷储存结构与该栅极区之间；以及其中介面分离该一个或多个介电结构的一部分与该沟道区，该介面的第一端结束于该源极区之中间部分，且该介面的第二端结束于该漏极区之中间部分。