发明名称 |
实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法,在硅衬底上形成有埋层、集电区、衬底隔离区的硅片上淀积复合介质膜;采用干法刻蚀所述复合介质膜,定义基区窗口,刻蚀停止在所述复合介质膜的氧化膜上;在基区窗口打开后,复合介质膜的氧化膜去除之前,再淀积一层介质膜层,利用介质膜层在基区窗口界面台阶处形成D形侧墙;同时,利用D形侧墙的保护,湿法去除基区窗口内剩余氧化膜,并外延生长SiGe基区。采用本发明由于D形侧墙的形成使得基区窗口界面台阶处被缓变化,SiGe外延后继续保留由D形侧墙形成的缓变台阶,使其在后续的发射极多晶硅侧墙工艺中无绝缘物残留,从而形成连续的金属硅化物,降低外基区电阻,提高器件性能。 |
申请公布号 |
CN102097315A |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN200910201936.X |
申请日期 |
2009.12.15 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
陈帆;张海芳;徐炯 |
分类号 |
H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/331(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
戴广志 |
主权项 |
一种实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,在硅衬底上形成有埋层、集电区、衬底隔离区的硅片上淀积复合介质膜;步骤二,采用干法刻蚀所述复合介质膜,定义基区窗口,刻蚀停止在所述复合介质膜的氧化膜上;步骤三,在基区窗口界面台阶处淀积侧墙用介质膜层,再采用干法刻蚀侧墙用介质膜层形成D形侧墙,刻蚀停止在复合介质膜剩余的氧化膜上;步骤四,利用所述复合介质膜和D形侧墙做阻挡层,湿法去除基区窗口内剩余氧化膜,露出SiGe外延用基区;步骤五,在所述基区窗口内进行SiGe外延生长,形成SiGe基极单晶硅层和SiGe外基区,并且由D形侧墙形成从单晶到多晶区缓变的粗糙度分布;步骤六,在所述SiGe基极单晶硅层上形成发射极‑基极隔离区,SiGeNPN器件多晶硅发射极区,发射极区多晶硅侧墙;由D形侧墙形成的基区窗口界面缓变台阶处无绝缘物残留;步骤七,SiGe NPN器件金属硅化物形成,由D形侧墙形成的基区窗口界面缓变台阶处金属硅化物形成连续。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |