发明名称 准单能脉冲γ射线源的用途和制备方法
摘要 本发明公开了一种准单能脉冲γ射线源的用途和制备方法,其可用于脉冲射线探测器的能量响应和时间响应研究、核辐射脉冲测试系统标定和考核以及开展模拟实验研究、脉冲核反应堆高能γ射线辐射防护及其它应用基础性研究工作。本发明制备准单能脉冲γ射线源的原理是利用高功率质子束轰击含19F核素的靶可以发生共振核反应形成20Ne*,处于激发态的20Ne*核退激时放出三种不同能量的α粒子后形成的16O*,16O*核仍处于激发态,退激时放出6.129、6.917和7.117MeV的三种能量的γ射线。在入射质子能量Ep<1MeV的情况下,主要产生能量为6.129MeV的单能γ射线,在质子能量Ep<0.48MeV的情况下,所产生的能量为6.129、6.917和7.117MeV的三种能量的单能γ射线分支比为0.9701∶0.0033∶0.0266。
申请公布号 CN102097151A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN201110003337.4 申请日期 2011.01.10
申请人 西北核技术研究所 发明人 杨海亮;孙剑锋;邱爱慈;李静雅;苏兆锋;张鹏飞;黄建军;任书庆;何小平;汤俊萍
分类号 G21K7/00(2006.01)I;G21H5/00(2006.01)I 主分类号 G21K7/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 准单能脉冲γ射线源作为光源和/或能量源的用途,其特征在于所述准单能脉冲γ射线源中能量为6.129MeV的单能γ射线所占的分支比大于97%。
地址 710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号