节能减排低碳高稳定性高温超导材料制备工艺

摘要

本发明涉及一种高温超导体的制备工艺技术，其特征在于所述的高温超导体采用熔炼与活化烧结的新工艺，改变电子排列晶体结构。原材料在1050℃-1300℃熔化后重新排列，降到室温，研磨后再进入烧结炉在910-980℃烧结28h，降到室温，制成高温超导粉材。按图2的工艺技术，先制成子晶，再进入晶化炉，在1100℃烧结0.5-1h，慢降温到室温，及得到块材的高温的超导体。此工艺技术制成的高温超导体，具有高Tc和高Jc的超导性能。

主权项

本发明涉及一种高温超导体的制备工艺技术，其特征在于所述的高温超导材料工艺高温熔炼与活化烧结的新工艺结合，改变电子排列晶体结构。原材料在1050℃‑1300℃熔化后重新排列到提高超导Tc和临界电流密度的新排列晶体结构，改变了其原来工艺生成的弱连接的结构，生成新的晶体结构，具有原子百分比为(稀元+金属原元)∶铜∶氧＝1∶1∶3相粉末材料，具有211相和“123”相相超导体。