| 发明名称 | 一种锡晶须生长的快速测试方法和系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种锡晶须生长的快速测试方法，包括以下步骤：设置待测样品的外界应力；对所述待测样品进行初检，确定所述待测样品中锡晶须的初始长度和初始密度；在设置的外界应力下，所述待测样品进行锡晶须生长；测量所述待测样品的锡晶须的长度和密度。本发明还公开了一种锡晶须生长的快速测试系统，包括外界应力控制装置和测量装置。本发明通过外界应力控制装置试验选定缩短锡晶须生长潜伏期的环境模拟加速试验，可以确定缩短锡晶须生长潜伏期的条件及时间；另外本发明实施例可以实现锡晶须长度和密度的测量。 | ||
| 申请公布号 | CN101363721B | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200810119860.1 | 申请日期 | 2008.09.12 |
| 申请人 | 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 | 发明人 | 王群勇;刘欣伟;阳辉;白桦;刘燕芳;陈冬梅;孙旭朋;陈宇 |
| 分类号 | G01B11/02(2006.01)I;G01N21/00(2006.01)I | 主分类号 | G01B11/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 张国良 |
| 主权项 | 一种锡晶须生长的快速测试方法，其特征在于，包括以下步骤：设置待测样品的外界应力；对所述样品进行选择并对所选样品进行预处理，所述预处理为热处理；对所述待测样品进行初检，确定所述待测样品中锡晶须的初始长度和初始密度；在设置的外界应力下，所述待测样品进行锡晶须生长；测量所述待测样品的锡晶须的长度和密度。 | ||
| 地址 | 100089 北京市海淀区紫竹院路69号中国兵器大厦708室 | ||