发明名称 一种场致发射平板显示器及制备方法
摘要 本发明公开了一种场致发射平板显示器及制备方法,包括下基板工艺:玻璃基板清洗→行电极印刷→行电极烧结→保护层镀膜→介质层印刷→介质层烧结→介质层图形刻蚀→列电极印刷→列电极烧结→低功函数电子发射材料印刷→隔离支架设置。上基板工艺:带ITO玻璃基板清洗→黑底图形印刷→黑底烧结→荧光粉图形印刷→荧光粉烧结→封接框放置→上基板和下基板组合烧结封接,抽真空。本发明采用低功函数材料作为电子发射源,发射源为面发射形式,发射均匀性较好,效率高,同时结构较为简单。
申请公布号 CN101436505B 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN200810232726.2 申请日期 2008.12.09
申请人 彩虹集团公司 发明人 丁兴隆;俞敏
分类号 H01J31/12(2006.01)I;H01J29/86(2006.01)I;H01J9/20(2006.01)I;H01J9/26(2006.01)I 主分类号 H01J31/12(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 朱海临
主权项 一种场致发射平板显示器的制备方法,其特征在于,包括下述工序:第一步,在下基板内侧印制行电极图形,在550℃~600℃烧结形成3至5微米厚的行电极;在烧结有行电极的下基板表面磁控溅射一层100纳米以上的保护层;然后在保护层上印制酸蚀性介质浆料,采用行电极同样的烧结工艺形成厚度为10~50微米的介质层;然后用光刻工艺在介质层上制作出条状介质层图形;在条状介质层图形表面印制列电极浆料,然后采用行电极同样的烧结工艺形成条状列电极;最后在列电极表面印制低功函数的电子发射材料;并在下基板上设置隔离支架;第二步,在内侧带有透明高压阳极的上基板表面,印刷整面黑底浆料,采用光刻工艺形成间隔状黑底图形并进行烧结;在黑底图形间隔中印制三基色带状荧光粉层图形并烧结;第三步,将上基板荧光粉层的带状图形与下基板列电极条状图形一一对应,上、下基板之间设置300微米到2毫米的间隙,四周用封接框将上基板和下基板组合,450℃烧结封接到一起,最后将封接形成的密闭腔体抽真空使腔体内的气压达到10‑3Pa以上的真空度。
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