Ti膜及TiN膜的成膜方法以及接触结构

摘要

本发明提供一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，其包括将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜的工序。本发明还提供一种在由Si基板或基板上形成的金属硅化物膜构成的衬底上形成的接触结构。所述接触结构由在所述衬底上形成的Si或金属硅化物与Ti的反应层、和在所述反应层上形成的2层结构的TiN膜组成。

主权项

一种Ti膜及TiN膜的成膜方法，是以在含Si的基板上形成的金属硅化物膜为衬底膜，在其上进行Ti膜及TiN膜的成膜的成膜方法，其特征在于，具备：清洁所述金属硅化物膜表面的工序；生成TiCl4气体、H2气体和Ar气体的第1等离子体，通过等离子体CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜的工序；通过包括Ar气体、H2气体和NH3气体的气体的第2等离子体对所述Ti膜进行氮化处理的工序；在氮化后的所述Ti膜上，使用TiCl4气体、N2气体和NH3气体，通过热CVD进行TiN膜的成膜的工序，所述Ti膜的成膜工序在使所述TiCl4气体的流量为0.001～0.02L/min、H2气体的流量为1.5～6L/min、Ar气体为0.3～3L/min，将所述基板温度设定为300～500℃，成膜压力设定为260～1333Pa，生成所述第1等离子体的高频功率设定为300～2000W下进行，所述Ti膜的氮化处理工序在使H2气体的流量为1.5～6L/min、Ar气体为0.3～3L/min、NH3气体为0.5～3L/min，将所述基板温度设定为300～500℃，处理压力设定为260～1333Pa，生成所述第2等离子体的高频功率设定为300～1200W下进行。