一种LED驱动芯片

摘要

一种LED驱动芯片，其电路结构包含电压分配模块，缓冲-电压比较模块，电压输入模块为一位于输入端增强型金属-氧化层-半导体场效应晶体管MOSFET，其源极经电压分配模块连接于地电位，缓冲-电压比较模块与电压分配模块内部相应节点连接，输出端连接位于输出端的场效应晶体管MOSFET，由输出端的场效应晶体管MOSFET驱动外部的LED照明设备。本发明采用芯片驱动LED照明设备，极大的减小了传统LED驱动电路的体积，同时大大提升了LED照明装置的功率因数，降低了成本。

主权项

一种LED驱动芯片，其特征在于：内部电路结构包括电压分配模块，缓冲‑电压比较模块，电压输入模块和半导体场效应晶体管MOSFET组成，其中：MOSFET Q1的源极与地电位相连，栅极连接于缓冲‑电压比较模块1的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，缓冲‑电压比较模块1的另一个输入端分别连接至串联电阻R1和R2之间的连接点处，缓冲‑电压比较模块1输出端与MOSFET Q2的栅极相连，MOSFET Q1的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED的串联线路上；MOSFET Qn(n＞1)的源极通过电阻或能够等效为电阻的元件组与地电位相连，栅极连接于缓冲‑电压比较模块n的一个输入端、同时连接于缓冲‑电压比较模块n‑1的输出端，缓冲‑电压比较模块n的另一个输入端连接至串联电阻R2n‑1和R2n之间的连接点处，MOSFETQn的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED的串联线路上；所述外部LED的串联线路的起始端连接于电压输入模块的输出端上；上述分别由R1和R2，R2n‑1和R2n组成的n条支路，并联组成电压分配模块，所述电压输入模块的输出端通过电压分配模块连接于地电位。