| 发明名称 | 硅浅槽刻蚀工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅浅槽刻蚀工艺，包括二氧化硅层开启步、硅槽刻蚀步，在二氧化硅层开启步与硅槽刻蚀步之间还包括硅槽初刻步，硅槽初刻步中所用的工艺气体包括Cl2气体，还可以适当加入SF6、He、NF3气体。Cl2气体的供气流量为50-150sccm；供气压力为5-30mT；刻蚀时间为5-20s。可以有效减轻被刻蚀表面的微小柱形defect(缺陷)。 | ||
| 申请公布号 | CN101397668B | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200710175213.8 | 申请日期 | 2007.09.27 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 张庆钊 |
| 分类号 | C23F1/08(2006.01)I;C23F1/12(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人 | 赵镇勇 |
| 主权项 | 一种硅浅槽刻蚀工艺，包括二氧化硅层开启步、硅槽刻蚀步，其特征在于，所述的二氧化硅层开启步与硅槽刻蚀步之间包括硅槽初刻步，所述硅槽初刻步中所用的工艺气体包括Cl2气体；所述的硅槽初刻步中所用的工艺气体还包括以下工艺气体中至少一种：SF6、He、NF3气体；所述Cl2气体的供气流量为50‑150sccm；所述Cl2气体的供气压力为5‑30mT。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||