发明名称 一种高功率半导体激光器的设计方法
摘要 本发明旨在提供一种高功率半导体激光器的设计方法,旨在解决现有技术无法同时保证芯片的绝缘性和高效散热的问题。该处理方法,包括三个处理环节:对芯片进行降低热应力处理、对芯片进行绝缘处理、对芯片进行接触式散热处理。本发明具有以下优点:导热能力强,可支持大功率半导体激光器长时间工作;通过绝缘处理使得热沉不带电,安全性高,且采用硬焊料,半导体激光器使用寿命和储存时间长。
申请公布号 CN102097744A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN201110007855.3 申请日期 2011.01.14
申请人 刘兴胜 发明人 刘兴胜
分类号 H01S5/024(2006.01)I 主分类号 H01S5/024(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 徐平
主权项 一种高功率半导体激光器的设计方法,其特征在于,包括三个处理环节:对芯片进行接触式散热处理、对芯片进行降低热应力处理、对芯片进行绝缘处理。
地址 710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号10号楼三层